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三星首批3纳米GAA芯片出货

25日上午,在三星电子位于京畿道华城厂区,适用新一代全环绕栅极(Gate-All-Around)技术的全球首款3纳米芯片产品出厂纪念活动举行。(韩联社)

25日上午,在三星电子位于京畿道华城厂区,适用新一代全环绕栅极(Gate-All-Around)技术的全球首款3纳米芯片产品出厂纪念活动举行。(韩联社)

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